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参数资料
| 型号： | MJD122T4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 578K |
| 代理商： | MJD122T4 |
Electrical characteristics
MJD122, MJD127
4/12
Doc ID 3541 Rev 11
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Note:
For PNP types voltage and current values are negative.
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 100 V
-10
A
ICEO
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCE = 50 V
-10
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
-2
mA
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤1.5%
Collector-emitter
sustaining voltage (IB = 0)
IC = 30 mA
100
-
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 4 A
_ IB = 16 mA
IC = 8 A
_ IB = 80 mA
-
2
4
V
VBE(sat)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 8 A
_ IB = 80 mA
-4.5
V
VBE(on)
Base-emitter on voltage
IC = 4 A
_ VCE = 4 V
-2.8
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 4A
VCE = 4 V
IC = 8 A
VCE = 4 V
1000
100
-
12000
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