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参数资料
| 型号： | MJD122T4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 578K |
| 代理商： | MJD122T4 |
MJD122, MJD127
Electrical characteristics
Doc ID 3541 Rev 11
5/12
2.1
Electrical characteristics (curves)
Figure 2.
Safe operating area
Figure 3.
Derating curve
Figure 4.
DC current gain for NPN type
Figure 5.
DC current gain for PNP type
Figure 6.
Collector-emitter saturation voltage
for NPN type
Figure 7.
Collector-emitter saturation voltage
for PNP type
hFE
1000
100
10
0.01
Ic(A)
0.1
1
VCE= 3 V
Tj= -40 °C
Tj= 25 °C
Tj=125 °C
AM00696v1
hFE
1000
100
10
-0.01
Ic(A)
-0.1
-1
Tj= -40 °C
Tj= 25 °C
Tj=125 °C
VCE= -3 V
AM00697v1
VCE(sat)
1
0.6
0.2
0.1
Ic(A)
1
hFE= 250
Tj= -40 °C
Tj= 25 °C
Tj=125 °C
(V)
1.4
AM00698v1
VCE(sat)
-1
-0.6
-0.2
-0.1
Ic(A)
-1
hFE= 250
Tj= -40 °C
Tj= 25 °C
Tj=125 °C
(V)
-1.4
AM00699v1
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