型号: | MJD31I |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
封装: | IPAK-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 0K |
代理商: | MJD31I |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MJD32C-TP | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD360T4-A | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJD361T4-A | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJD41CI | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD42C-1 | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MJD31T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD31T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD31TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD32 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
MJD32/32C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications |