参数资料
型号: MJD32-I
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封装: IPAK-3
文件页数: 3/7页
文件大小: 183K
代理商: MJD32-I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD32/
32C
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
T
C[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
MJD32C-I 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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MJD32T4 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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