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参数资料
| 型号： | MJD32C-I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | MJD32C-I |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD32/
32C
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings T
C=25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
C=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
: MJD32
: MJD32C
- 40
- 100
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
: MJD32
: MJD32C
- 40
- 100
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
- 5
V
IC
Collector Current (DC)
- 3
A
ICP
Collector Current (Pulse)
- 5
A
IB
Base Current
- 1
A
PC
Collector Dissipation (TC=25°C)
15
W
Collector Dissipation (Ta=25°C)
1.56
W
TJ
Junction Temperature
150
°C
TSTG
Storage Temperature
- 65 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
VCEO(sus)
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
: MJD32
: MJD32C
IC = - 30mA, IB = 0
-40
-100
V
ICEO
Collector Cut-off Current
: MJD32
: MJD32C
VCE = - 40V, IB = 0
VCE = - 60V, IB = 0
-50
A
ICES
Collector Cut-off Current
: MJD32
: MJD32C
VCE = - 40V, VBE = 0
VCE = - 100V, VBE = 0
-20
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
VBE = - 5V, IC = 0
-1
mA
hFE
* DC Current Gain
VCE = - 4V, IC = - 1A
VCE = - 4V, IC = - 3A
25
10
50
VCE(sat)
* Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = - 3, IB = - 375mA
-1.2
V
VBE(on)
* Base-Emitter ON Voltage
VCE = - 4A, IC = - 3A
-1.8
V
fT
Current Gain Bandwidth Product
VCE = -10V, IC = - 500mA
3
MHz
MJD32/32C
General Purpose Amplifier Low Speed
Switching Applications
D-PAK for Surface Mount Applications
Load Formed for Surface Mount Application (No Suffix)
Straight Lead (I-PAK, “- I” Suffix)
Electrically Similar to Popular TIP32 and TIP32C
1.Base
2.Collector
3.Emitter
D-PAK
I-PAK
11
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