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参数资料
| 型号： | MJD32C-I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 183K |
| 代理商： | MJD32C-I |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD32/
32C
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[W
],
P
O
W
E
R
D
IS
S
IP
A
T
IO
N
T
C[
o
C], CASE TEMPERATURE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD32BT4 | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD31BT4 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD32CT4-A | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD32CT4 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| MJD32TF | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MJD32CRLG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CT4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32CT4 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -100V TO-252 制造商:STMicroelectronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-252 |
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