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参数资料
| 型号： | MJD32B |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | DPAK-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | MJD32B |
MJD31B/31C
MJD32B/32C
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
s
SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX ”T4”)
s
ELECTRICALLY SIMILAR TO TIP31B/C AND
TIP32B/C
APPLICATIONS
s
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER TRANSISTORS
DESCRIPTION
The MJD31B and MJD31C and the MJD32B and
MJD32C form complementary NPN-PNP pairs.
They are manufactured using Epitaxial Base
technology for cost-effective performance.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
May 1999
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix ”T4”)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Uni t
NPN
MJD31B
MJD31C
PNP
MJD32B
MJD32C
VCBO
Collect or-Base Voltage (IE =0)
80
100
V
VCEO
Collect or-Emitter Voltage (IB =0)
80
100
V
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC =0)
5
V
IC
Collect or Current
3
A
ICM
Collect or Peak Current
5
A
IB
Base Current
1
A
Ptot
Tot al Dissipation at Tc =25
oC15
W
Tstg
Storage T emperat ure
-65 t o 150
oC
Tj
Max. O perating Junction Temperature
150
oC
For PNP types the values are intented negative.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD31B | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD32C-1 | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD31C-1 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD31CT4 | 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD49T4 | 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD32BT4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32BTF | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD32C-13 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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