型号: | MJD49T4 |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
封装: | TO-252, DPAK-3 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 143K |
代理商: | MJD49T4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MJE13002 | 1.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
MJE13003B-AP | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MJE13003B-BP | 1500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
MJE13004 | 4 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
MJE13007F | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MJD50 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
MJD50-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS |
MJD50G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD50T4 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |