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参数资料
| 型号： | MJD49T4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | TO-252, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | MJD49T4 |
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
8.33
100
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICES
Collector Cut-off
Current (VBE = 0)
VCE = 450 V
0.1
mA
ICEO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
VCE = 250 V
0.1
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
1
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB = 0)
IC = 30 mA
350
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 1 A
IB = 0.2 A
1
V
VBE(on)
Base-Emitter On
Voltage
IC = 1 A
VCE = 10 V
1.5
V
hFE
DC Current Gain
IC = 0.3 A
VCE = 10 V
IC = 1 A
VCE = 10 V
30
10
150
fT
Transition Frequency
IC = 0.2 A
VCE = 10 V
f=2MHz
10
MHz
hfe
Small Signal Current
Gain
IC = 0.2 A
VCE = 10 V
f=1kHz
25
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
Safe Operating Area
Derating Curves
MJD49T4
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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