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参数资料
| 型号： | MJD350T4 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封装： | TO-252, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | MJD350T4 |
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
8.33
100
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector Cut-off
Current (vBE = 0)
VCB = 300 V
0.1
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 3 V
0.1
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB = 0)
IC = 1 mA
300
V
hFE
DC Current Gain
IC = 50 mA
VCE = 10 V
30
240
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
For PNP type voltage and current values are negative.
Safe Operating Area
Derating Curve
MJD340 / MJD350
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPS706K | 200 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MA42025 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJE13007AJ | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE2955T16A | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJF32C | 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJD350T4G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 0.5A 300V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD350TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD361T4-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT LV Complimentary 60V Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD41C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
| MJD41C_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
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