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参数资料
| 型号： | MJD42C-I |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | IPAK-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | MJD42C-I |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD42C
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
-0.01
-0.1
-1
-10
1
10
100
1000
V
CE
= -2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 I
B
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
(s
a
t),
V
CE
(s
at)
[V
],
S
A
T
URA
T
ION
V
O
LT
A
G
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
C
ob
[pF
],
C
A
P
A
CI
T
A
NCE
V
CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
t
R
V
CC = -30V
I
C = 10.IB
t
D VBE(off)=-5V
t R
,t
D
[
s],
T
URN
ON
T
IM
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
VCC = -30V
IC = 10.IB
tSTG
tF
t ST
G
,t
F
[
s],
T
URN
O
F
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
5m
s
100
s
500
s
1m
s
DC
I
CP
(max)
I
C(max)
I C
[A],
COL
L
ECT
O
R
CURRENT
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述 |
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