型号: | MJD47 |
厂商: | STMICROELECTRONICS |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
封装: | TO-252, DPAK-3 |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 145K |
代理商: | MJD47 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MJD50T4 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
MJD6036 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD6036-1 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD6036T4 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD6039T4 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MJD47_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Power Transistors |
MJD47_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
MJD47-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS |
MJD474 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
MJD47G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 250V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |