型号: | MJE171LEADFREE |
厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 35K |
代理商: | MJE171LEADFREE |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MJE221LEADFREE | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE251LEADFREE | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE210LEADFREE | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE181 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
MJE170LEADFREE | 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MJE171STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE172 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Power Sw RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE172 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -80V 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor |
MJE172_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
MJE172G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 80V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |