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参数资料
| 型号： | MJE18006BG |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 6 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/65页 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | MJE18006BG |
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MJE18006 MJF18006
3–736
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0.01
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
Figure 6. Capacitance
10
1
110
100
10
1
0.01
0.1
1
10
2
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
10
1
0.01
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1.3
1
0.8
0.4
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1
10
1000
100
1
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1
1000
1
0
0.1
110
10000
10
0.1
1
10
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 1 V
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 5 V
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC/IB = 10
IC/IB = 5
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.1
0.9
0.6
0.5
1.5
1.2
TJ = 25°C
IC = 1 A
3 A
5 A
6 A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
2 A
100
0.7
Cib
Cob
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
TJ = 25°C
f = 1 MHz
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