- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录379321 > MJE18008 (MOTOROLA INC) POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJE18008 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS |
| 中文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 421K |
| 代理商： | MJE18008 |
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
5
6
7
8
Figure 18. Dynamic Saturation Voltage Measurements
TI4
VCE
V
IB
Figure 19. Inductive Switching Measurements
1
μ
s
3
μ
s
90% IB
dyn 1
μ
s
dyn 3
μ
s
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
TIME
IB
IC
tsi
VCLAMP
10% VCLAMP
90% IB1
10% IC
tc
90% IC
tfi
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
+15 V
1
μ
F
150
3 W
100
3 W
MPF930
+10 V
50
COMMON
–Voff
500
μ
F
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150
3 W
100
μ
F
Iout
A
1
μ
F
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
V(BR)CEO(sus)
L = 10
mH
RB2 =
∞
VCC = 20 VOLTS
IC(pk) = 100 mA
INDUCTIVE SWITCHING
L = 200
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED FOR
DESIRED IB1
RBSOA
L = 500
μ
H
RB2 = 0
VCC = 15 VOLTS
RB1 SELECTED
FOR DESIRED IB1
RB2
RB1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJF18009 | POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 1000 VOLTS 50 and 150 WATTS |
| MJF18009 | POWER TRANSISTORS |
| MJE18009 | POWER TRANSISTORS |
| MJE18009 | POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 1000 VOLTS 50 and 150 WATTS |
| MJF18204 | POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 1200 VOLTS 35 and 75 WATTS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。