MJE18008AN PDF资料下载(32/65 页)8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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MJE18008G	功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE18009	制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
MJE180G	功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE180PWD	功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU	功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS

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功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR

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功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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型号：	MJE18008AN
厂商：	ON SEMICONDUCTOR
元件分类：	功率晶体管
英文描述：	8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封装：	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件页数：	32/65页
文件大小：	503K
代理商：	MJE18008AN

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