- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录98019 > MJE18008AN (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MJE18008AN |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 65/65页 |
| 文件大小： | 503K |
| 代理商： | MJE18008AN |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页当前第65页
2–3
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 1. Plastic (Isolated TO–220 Type)
Device Type
Resistive Switching
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
VCES
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD (Case)
Watts
@ 25
°C
1
250
MJF47
30/150
0.3
2 typ
0.17 typ
0.3
10
28
2
400
700
BUL44F
14/34
0.2
2.75(3)
0.2(3)
1
13 typ
25
1000
MJF18002
14/34
0.2
2.75(3)
0.175(3)
1
13 typ
25
3
100
MJF31C
MJF32C
10 min
1
0.6
0.3
1
3
28
5
100
MJF122 (2)
MJF127 (2)
2000 min
3
1.5 typ
3
4(1)
28
400
700
BUL45F
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
12 typ
35
450
1000
BUT11AF
10 min
.005
4
0.8
2.5
40
1000
MJF18004
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
13 typ
35
550
1200
MJF18204
18/35
0.5
2.75(3)
0.2(3)
2
12
35
6
400
700
BUL146F
14/34
0.5
2.5(3)
0.15(3)
3
14 typ
40
450
1000
MJF18006
14/34
0.5
3.2(3)
0.15(3)
3
14 typ
40
8
80
MJF6107
30/90
2
0.5 typ
0.13 typ
2
4
35
150
MJF15030
MJF15031
40 min
3
1 typ
0.15 typ
3
30
35
400
700
MJF13007
5/30
5
3
0.7
5
4
40
BUL147F
14/34
1
2.5(3)
0.18(3)
2
14 typ
45
450
1000
MJF18008
16/34
1
2.75(3)
0.18(3)
2
13 typ
45
10
60
MJF3055
MJF2955
20/100
4
—
2
40
80
MJF44H11
MJF45H11
40/100
4
0.5 typ
0.14 typ
5
40
35
100
MJF6388 (2)
MJF6668 (2)
3k/20k
3
1.5 typ
20(1)
40
450
1000
MJF18009
14/34
1.5
2.75(3)
0.2(3)
3
12
50
12
400
700
MJF13009
6/30
8
3
0.7
8
40
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
3
2
CASE 221D
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18008BV | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008AU | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008AS | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18008BC | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BV | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。