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参数资料
| 型号： | MJE18204AJ |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 34/67页 |
| 文件大小： | 533K |
| 代理商： | MJE18204AJ |
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MJE18204 MJF18204
3–762
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
100
10
1
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 1 V
Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volts
100
10
1
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
VCE = 3 V
Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volts
100
10
1
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
VCE = 5 V
Figure 4. Collector Saturation Region
2
0
10000
1000
100
10
IB, BASE CURRENT (mA)
IC = 1 A
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
4 A
3 A
2 A
1.5 A
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10
1
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC/IB = 5
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
IC/IB = 10
TJ = 125°C
TJ = 25°C
Figure 6. Base–Emitter Saturation Region
1.5
0
10
0.1
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
1
0.5
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = 25°C
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