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参数资料
| 型号： | MJE3055TAK |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/59页 |
| 文件大小： | 357K |
| 代理商： | MJE3055TAK |
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Selector Guide
2–10
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
0.5
350
2N5657
30/250
0.1
3.5 typ
0.24 typ
0.1
10
20
BD159
30/240
0.05
20
1
40
2N4921
2N4918
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
60
2N4922
2N4919
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
80
2N4923
2N4920
20/100
0.5
0.6 typ
0.3 typ
0.5
3
30
1.5
45
BD165
BD166
15 min
0.5
6
20
BD135
BD136
40/250
0.15
12.5
60
BD137
BD138
40/250
0.15
12.5
80
BD169
15 min
0.5
6
20
BD139
BD140
40/250
0.15
12.5
BD140–10
63/160
0.15
12.5
300
MJE13002 (11)
5/25
1
4
0.7
1
5
40
400
MJE13003 (11)
5/25
1
4
0.7
1
5
40
2
80
BD237
BD238
25 min
1
3
25
100
MJE270 (2)(11)
MJE271 (2)(11)
1.5k min
0.12
6
15
3
60
MJE181
MJE171
50/250
0.1
0.6 typ
0.12 typ
0.1
50
12.5
80
BD179
BD180
40/250
0.15
3
30
MJE182
MJE172
50/250
0.1
0.6 typ
0.12 typ
0.1
50
12.5
200
BUY49P
30 min
0.5
25
20
4
40
MJE521
MJE371
40 min
1
40
45
BD437
BD438
40 min
2
3
36
BD776 (2)
750 min
2
20
15
60
BD440
25 min
2
3
36
BD677 (2)
BD678 (2)
750 min
1.5
40
BD677A (2)
BD678A (2)
750 min
2
40
BD787
BD788
20 min
2
50
15
BD777 (2)
BD778 (2)
750 min
2
20
15
2N5191
2N5194
25/100
1.5
0.4 typ
1.5
2
40
MJE800 (2)
MJE700 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
2N6038 (2)
2N6035 (2)
750/18k
2
1.7 typ
1.2 typ
2
25
40
80
2N5192
2N5195
25/100
1.5
0.4 typ
1.5
2
40
BD441
BD442
15 min
2
3
36
BD679 (2)
BD680 (2)
750 min
1.5
40
BD679A (2)
BD680A (2)
750 min
2
40
BD789
BD790
10 min
2
40
15
(1) |hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(11)Case 77, Style 3
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE3055TAJ | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE3055TAN | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2955TAJ | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2955TBV | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE3055TBC | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJE3055TG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 60V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE3055TG-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| MJE3055TG-TM3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| MJE3055TG-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| MJE3055TL-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
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