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参数资料
| 型号： | MJE341 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 150-200 VOLTS 20 WATTS |
| 中文描述： | 0.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 130K |
| 代理商： | MJE341 |
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
Collector Cutoff Current
MJE344
ICEO
200
—
mAdc
(VCB = 175 Vdc, IE = 0)
—
0.3
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
MJE341
ON CHARACTERISTICS
MJE344
—
0.1
DC Current Gain
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
MJE341
hFE
25
200
—
MJE344
—
1.0
(IC = 50 mAdc, VCE = 25 Vdc, f = 10 MHz)
Output Capacitance
Cob
—
15
pF
300
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
5.0
70
300 500
50
30
Figure 2. DC Current Gain
10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.6
50
0.8
200
h
100
300
500
1.0
TJ = +25
°
C
TJ = +150
°
C
+100
°
C
70
20
200
100
20
3.0
7.0
50
1.0
100
20
30
200
0
0.2
0.4
Figure 3. “On” Voltages
+25
°
C
–55
°
C
VCE = 2.0 V
VCE = 10 V
10
V
IC/IB = 5.0
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE @ VCE = 10 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE341 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MJE344 | POWER TRANSISTORS NPN SILICON |
| MJE344 | 0.5 AMPERE POWER TRANSISTORS NPN SILICON 150-200 VOLTS 20 WATTS |
| MJE3439 | 0.3 AMPERE POWER TRANSISTOR NPN SILICON 350 VOLTS 15 WATTS |
| MJE3439 | POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MJE344 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 0.5A 200V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE344_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic NPN Silicon Medium?Power Transistor |
| MJE3440 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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