参数资料
型号: MJE5731AC
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 功率晶体管
英文描述: 1 A, 375 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件页数: 1/4页
文件大小: 156K
代理商: MJE5731AC
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PDF描述
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MJE5742U2 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE5852N 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MA42113-511 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MUN5212 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MJE5731AG 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP 1A 375V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE5731G 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 350V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJE5740 功能描述:达林顿晶体管 8A 300V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
MJE5740_06 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS
MJE5740G 功能描述:达林顿晶体管 8A 300V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel