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参数资料
| 型号： | MJF18008 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | CASE 221D-03, ISOLATED TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 421K |
| 代理商： | MJF18008 |
7
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
0.01
t, TIME (ms)
Figure 20. Typical Thermal Response (Z
θ
JC(t)) for MJE18008
r
(
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 1.0
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
0.02
0.1
0.05
D = 0.5
SINGLE PULSE
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
0.01
Figure 21. Typical Thermal Response (Z
θ
JC(t)) for MJF18008
r
(
R
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 2.78
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) R
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
0.02
0.1
SINGLE PULSE
0.01
0.1
1
10
100
100000
0.1
1
1000
10000
0.05
D = 0.5
TYPICAL THERMAL RESPONSE
t, TIME (ms)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18008 | POWER TRANSISTOR |
| MJE18008 | POWER TRANSISTOR 8.0 AMPERES 1000 VOLTS 45 and 125 WATTS |
| MJF18009 | POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 1000 VOLTS 50 and 150 WATTS |
| MJF18009 | POWER TRANSISTORS |
| MJE18009 | POWER TRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJF18008G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 450V 45W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJF18204 | 制造商:ON SEM 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MJF18206 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJF2955 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 90V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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