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参数资料
| 型号： | MJF18009 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | ISOLATED TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 433K |
| 代理商： | MJF18009 |
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
100
μ
Adc
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
°
C
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 7 Adc, IB = 1.4 Adc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
Vdc
VCE(sat)
0.9
1.25
Vdc
@ TC = 125
°
C
0.3
0.65
C
@ TC = 125
°
C
0.35
0.4
0.7
0.9
DC Current Gain
hFE
@ TC = 125
°
C
8
11.5
@ TC = 125
°
C
5
7.5
°
C
10
25
—
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
@ TC = 125
°
C
@ TC = 125
°
C
VCC = 300 V
IC = 7 Adc
Voltage:
rising IB1 reaches
@ 3
μ
s
@ TC = 25
°
C
13.5
4
V
2.7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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