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参数资料
| 型号： | MJF45H11 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | MJF45H11 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJF16002 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| MJF16204 | 6 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| MJH10012 | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJH16002 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJH16004 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJF45H11G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 10A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF47 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 250V 28W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF47G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 1A 250V 28W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF6107 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:PNP SILICON POWER TRANSISTOR 7 AMPERES 70 VOLTS 34 WATTS |
| MJF6388 | 功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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