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参数资料
| 型号： | MJW21193 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 16 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247 |
| 封装： | CASE 340L-02, 3 PIN |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 75K |
| 代理商： | MJW21193 |
MJW21193 (PNP) MJW21194 (NPN)
http://onsemi.com
6
AUDIO PRECISION
MODEL ONE PLUS
TOTAL HARMONIC
DISTORTION
ANALYZER
SOURCE
AMPLIFIER
50
0.5
0.5
8.0
-50 V
DUT
DUT
+50 V
Figure 18. Total Harmonic Distortion Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJW21194 | Silicon Power Transistors |
| MJW21195 | Silicon Power Transistors |
| MK4116 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-2 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-3 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJW21193_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W |
| MJW21193_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Power Transistors |
| MJW21193G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21193G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Transistor |
| MJW21194 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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