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参数资料
| 型号： | MJW21195 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 16 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AD |
| 封装： | CASE 340L-02, TO-247, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | MJW21195 |
MJW21195 (PNP) MJW21196 (NPN)
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
R
P
A
K
V
F
D
G
U
L
E
0.25 (0.010)
M
T B
M
0.25 (0.010)
M
Y Q
S
J
H
C
4
1
2
3
–T–
–B–
–Y–
–Q–
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
P
Q
R
U
V
MIN
19.7
15.3
4.7
1.0
1.27 REF
2.0
5.5 BSC
2.2
0.4
14.2
5.5 NOM
3.7
3.55
5.0 NOM
5.5 BSC
3.0
MAX
20.3
15.9
5.3
1.4
MIN
0.776
0.602
0.185
0.039
0.050 REF
0.079
0.216 BSC
0.087
0.016
0.559
0.217 NOM
0.146
0.140
0.197 NOM
0.217 BSC
0.118
MAX
0.799
0.626
0.209
0.055
INCHES
MILLIMETERS
2.4
0.094
2.6
0.8
14.8
0.102
0.031
0.583
4.3
3.65
0.169
0.144
3.4
0.134
TO–247
CASE 340K–01
ISSUE C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MK4116 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-2 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK4116P-3 | 16,384 X 1 BIT DYNAMIC RAM |
| MK48256 | 32K x 8 CMOS STATIC RAM |
| MK48256L | 32K x 8 CMOS STATIC RAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MJW21195_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:16 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 VOLTS, 200 WATTS |
| MJW21195_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Power Transistors |
| MJW21195G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21196 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21196G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 16A 250V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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