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参数资料
型号： MK20DX256ZVMC10R
厂商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分类： 微控制器/微处理器
英文描述： 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA121
封装： 8 X 8 MM, MAPBGA-121
文件页数： 28/73页
文件大小： 1017K
代理商： MK20DX256ZVMC10R
Table 21. Flash command timing specifications (continued)
Symbol
Description
Min.
Typ.
Max.
Unit
Notes
tsetram32k
tsetram256k
Set FlexRAM Function execution time:
32 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
ms
Byte-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr8bers Byte-write to erased FlexRAM location execution
time
—
100
TBD
μs
3
teewr8b32k
teewr8b64k
teewr8b128k
teewr8b256k
Byte-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
1.5
TBD
2.5
ms
Word-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr16bers Word-write to erased FlexRAM location
execution time
—
100
TBD
μs
teewr16b32k
teewr16b64k
teewr16b128k
teewr16b256k
Word-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
1.5
TBD
2.5
ms
Longword-write to FlexRAM for EEPROM operation
teewr32bers Longword-write to erased FlexRAM location
execution time
—
200
TBD
μs
teewr32b32k
teewr32b64k
teewr32b128k
teewr32b256k
Longword-write to FlexRAM execution time:
32 KB EEPROM backup
64 KB EEPROM backup
128 KB EEPROM backup
256 KB EEPROM backup
—
TBD
2.7
TBD
3.7
ms
1. Assumes 25MHz flash clock frequency.
2. Maximum times for erase parameters based on expectations at cycling end-of-life.
3. For byte-writes to an erased FlexRAM location, the aligned word containing the byte must be erased.
6.4.1.3 Flash (FTFL) current and power specfications
Table 22. Flash (FTFL) current and power specfications
Symbol
Description
Typ.
Unit
IDD_PGM
Worst case programming current in program flash
10
mA
Peripheral operating requirements and behaviors
K20 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 5, 5/2011.
34
Preliminary
Freescale Semiconductor, Inc.
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PDF描述
MK20DN512ZVMC10 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA121
MK20N512VML100 RISC MICROCONTROLLER, PBGA104
MK20N512VML100R RISC MICROCONTROLLER, PBGA104
MK20X256VLK100R 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP80
MK20N512VLK100 32-BIT, FLASH, 100 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP80
相关代理商/技术参数
参数描述
MK20DX256ZVMD10 功能描述:ARM微控制器 - MCU KINETIS CORTEX M4 256KFLEX USB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
MK20DX32VFM5 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 32K Flex RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
MK20DX32VFT5 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 32K Flex RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
MK20DX32VLF5 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 32K Flex RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
MK20DX32VLH5 功能描述:ARM微控制器 - MCU Kinetis 32K Flex RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 核心:ARM Cortex M4F 处理器系列:STM32F373xx 数据总线宽度:32 bit 最大时钟频率:72 MHz 程序存储器大小:256 KB 数据 RAM 大小:32 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.65 V to 3.6 V, 2 V to 3.6 V, 2.2 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LQFP-48 安装风格:SMD/SMT
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