- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录628 > MKI50-12F7 (IXYS)MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | MKI50-12F7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.8V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 65A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 700µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
Advanced Technical Information
MKI 50-12F7
IGBT Modules
I C25
= 65 A
V CES
H Bridge
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
13
1
9
= 1200 V
V CE(sat) typ. = 3.2 V
2
3
4
10
11
12
16
14
17
MKI
IGBTs
Features
? Fast NPT IGBTs
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
- low saturation voltage
V CES
V GES
I C25
I C80
I CM
V CEK
t SC
T VJ = 25°C to 150°C
T C = 25°C
T C = 80°C
V GE = ± 15 V; R G = 13 ? ; T VJ = 125°C
RBSOA; clamped inductive load; L = 100 μH
V CE = 900 V; V GE = ± 15 V; R G = 13 ? ; T VJ = 125°C
SCSOA; non-repetitive
1200
± 20
65
45
100
V CES
10
V
V
A
A
A
μs
- positive temperature coefficient for
easy paralleling
- fast switching
- short tail current for optimized
performance also in resonant circuits
? HiPerFRED TM diode:
- fast reverse recovery
- low operating forward voltage
- low leakage current
? Industry Standard Package
- solderable pins for PCB mounting
- isolated copper base plate
P tot
T C = 25°C
350
W
- UL registered, E 72873
Typical Applications
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T VJ = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
- motor control
. DC motor amature winding
V CE(sat)
V GE(th)
I C = 50 A; V GE = 15 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I C = 2 mA; V GE = V CE
4.5
3.2
3.8
3.8
6.5
V
V
V
. DC motor excitation winding
. synchronous motor excitation winding
- supply of transformer primary winding
. power supplies
I CES
I GES
V CE = V CES ; V GE = 0 V;
V CE = 0 V; V GE = ± 20 V
T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
2.5
0.7
500
mA
mA
nA
. welding
. X-ray
. battery charger
t d(on)
130
ns
t r
t d(off)
t f
E on
E off
C ies
Q Gon
R thJC
Inductive load, T VJ = 125°C
V CE = 600 V; I C = 50 A
V GE = ±15 V; R G = 13 ?
V CE = 25 V; V GE = 0 V; f = 1 MHz
V CE = 600 V; V GE = 15 V; I C = 50 A
(per IGBT)
60
360
30
6.0
2.5
3.3
600
ns
ns
ns
mJ
mJ
nF
nC
0.35 K/W
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2004 IXYS All rights reserved
1-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MKI75-06A7T | IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK |
| MKI80-06T6K | MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1 |
| MLPS0000 | POWER SUPPLY MICRO LINE/SENSOR |
| MLPS1000 | PS 85-250VAC MICRO LINE/SENSOR |
| MPI-900-48 | XFRMR 24V 37.5A 900VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MKI65-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI75-06A7 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI75-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI75-12E8 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI80-06T6K | 功能描述:IGBT 模块 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。