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参数资料
| 型号： | MKI50-12F7 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2 |
| 标准包装： | 6 |
| IGBT 类型： | NPT |
| 配置： | 全桥反相器 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 3.8V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 65A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 700µA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 3.3nF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | E2 |
| 供应商设备封装： | E2 |
Diodes
Advanced Technical Information
MKI 50-12F7
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
110
70
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I RM
t rr
I F = 50 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
T VJ = 125°C
I F = 50 A; di F /dt = -500 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 600 V; V GE = 0 V
2.2
1.6
40
200
2.6
V
V
A
ns
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 2.05 V; R 0 = 35 m ?
Free Wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.3 V; R 0 = 6 m ?
R thJC
(per diode)
0.61 K/W
Thermal Response
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T VJM
T stg
V ISOL
M d
operating
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
-40...+125
-40...+150
-40...+125
2500
2.7 - 3.3
° C
° C
° C
V~
Nm
IGBT (typ.)
C th1 = 0.22 J/K; R th1 = 0.26 K/W
C th2 = 1.74 J/K; R th2 = 0.09 K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
C th1 = 0.151 J/K; R th1 = 0.483 K/W
Symbol
Conditions
Characteristic Values
C th2 = 1.003 J/K; R th2 = 0.127 K/W
min. typ. max.
R pin-chip
5
m ?
d S
d A
R thCH
Weight
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
6
6
0.02
180
mm
mm
K/W
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
pins 5, 6, 7, 8 and 15 for MWI only
? 2004 IXYS All rights reserved
2-2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MKI75-06A7T | IGBT H-BRIDGE 600V E2PACK |
| MKI80-06T6K | MOD IGBT H-BRIDGE 600V 89A E1 |
| MLPS0000 | POWER SUPPLY MICRO LINE/SENSOR |
| MLPS1000 | PS 85-250VAC MICRO LINE/SENSOR |
| MPI-900-48 | XFRMR 24V 37.5A 900VA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MKI65-06A7T | 功能描述:分立半导体模块 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| MKI75-06A7 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI75-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI75-12E8 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI80-06T6K | 功能描述:IGBT 模块 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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