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参数资料
| 型号： | MKI65-06A7 |
| 厂商： | IXYS CORP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODUL-14 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | MKI65-06A7 |
2005 IXYS All rights reserved
2 - 2
B3
0548
MKI 65-06 A7
MKI 65-06 A7T
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Diodes
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
I
F25
T
C =
25°C
140
A
I
F80
T
C =
80°C
85
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
F
I
F = 65 A; VGE = 0 V; TVJ =
25°C
1.8
2.2
V
T
VJ = 125°C
1.5
V
I
RM
I
F = 60 A; diF/dt = -500 A/s; TVJ = 125°C
28
A
t
rr
V
R = 300 V; VGE = 0 V
100
ns
R
thJC
(per diode)
0.61 K/W
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Equivalent Circuits for Simulation
Conduction
IGBT (typ. at V
GE = 15 V; TJ = 125°C)
V
0 = 1.2 V; R0 = 15 m
Free Wheeling Diode (typ. at T
J = 125°C)
V
0 = 1.2 V; R0 = 3 m
Thermal Response
IGBT (typ.)
C
th1 = 0.248 J/K; Rth1 = 0.343 K/W
C
th2 = 1.849 J/K; Rth2 = 0.097 K/W
Free Wheeling Diode (typ.)
C
th1 = 0.23 J/K; Rth1 = 0.483 K/W
C
th2 = 1.3 J/K; Rth2 = 0.127 K/W
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
-40...+150
°C
T
stg
-40...+125
°C
V
ISOL
I
ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
M
d
Mounting torque (M5)
2.7 - 3.3
Nm
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R
pin-chip
5m
d
S
Creepage distance on surface
6
mm
d
A
Strike distance in air
6
mm
R
thCH
with heatsink compound
0.02
K/W
Weight
180
g
Temperature Sensor NTC
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
R
25
T = 25°C
4.75
5.0
5.25 k
B
25/50
3375
K
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MKRKAFREQAB0P00R11 | 1-PORT SAW RESONATOR, 10 MHz - 100 MHz |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MKI75-06A7T | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI75-12E8 | 功能描述:IGBT 模块 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
| MKI80-06T6K | 功能描述:IGBT 模块 80 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: |
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