参数资料
型号: MLG1005S10NHT
元件分类: 通用定值电感
英文描述: 1 ELEMENT, 0.01 uH, CERAMIC-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
封装: CHIP, 1005M, ROHS COMPLIANT
文件页数: 4/5页
文件大小: 77K
代理商: MLG1005S10NHT
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008-05 / 20100308 / e521_mlg1005.fm
All specifications are subject to change without notice.
L, Q vs. FREQUENCY CHARACTERISTICS
Part No.
Inductance(nH)typ.
Q typ.
500MHz
800MHz
1.8GHz
2.0GHz
2.4GHz
500MHz
800MHz
1.8GHz
2.0GHz
2.4GHz
MLG1005S0N3
0.3
39
48
99
117
127
MLG1005S0N4
0.4
41
48
98
109
117
MLG1005S0N5
0.5
26
32
58
63
69
MLG1005S0N6
0.6
22
27
46
49
53
MLG1005S0N7
0.7
22
28
45
49
54
MLG1005S0N8
0.8
26
34
57
60
66
MLG1005S0N9
0.9
0.8
21
27
44
47
53
MLG1005S1N0
0.9
22
29
48
50
56
MLG1005S1N1
1.0
23
29
47
50
57
MLG1005S1N2
1.1
23
29
48
50
56
MLG1005S1N3
1.2
22
27
44
47
53
MLG1005S1N5
1.4
1.5
23
29
47
50
56
MLG1005S1N6
1.5
1.6
23
29
46
49
54
MLG1005S1N8
1.7
20
26
41
43
49
MLG1005S2N0
1.9
21
25
41
43
48
MLG1005S2N2
2.1
2.2
22
27
44
47
52
MLG1005S2N4
2.3
2.4
21
26
42
44
49
MLG1005S2N7
2.6
2.7
22
27
43
45
50
MLG1005S3N0
2.9
3.0
3.1
24
29
47
49
54
MLG1005S3N3
3.2
3.3
3.4
3.5
24
30
46
48
53
MLG1005S3N6
3.4
3.6
3.8
21
26
40
42
46
MLG1005S3N9
3.7
3.9
4.1
22
28
43
45
50
MLG1005S4N3
4.1
4.3
4.4
4.6
24
30
47
49
53
MLG1005S4N7
4.5
4.8
4.9
5.2
23
30
45
47
50
MLG1005S5N1
4.9
5.4
5.6
6.1
23
29
42
43
44
MLG1005S5N6
5.4
5.8
5.9
6.3
22
28
42
43
45
MLG1005S6N2
6.0
6.8
7.1
7.8
24
29
42
43
MLG1005S6N8
6.5
6.6
7.4
7.8
8.6
23
28
40
41
MLG1005S7N5
7.2
7.4
8.6
9.2
10.5
24
30
41
39
MLG1005S8N2
7.9
8.0
9.3
9.9
11.3
23
28
38
36
MLG1005S9N1
8.8
9.0
10.8
11.6
13.7
24
30
40
39
36
MLG1005S10N
9.7
9.9
12.4
13.5
16.7
24
30
37
36
31
MLG1005S11N
10.6
10.9
13.8
15.1
19.0
23
28
34
33
28
MLG1005S12N
11.7
12.1
16.2
18.3
25.5
23
29
33
31
23
MLG1005S13N
12.6
13.0
18.3
21.3
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20
24
25
22
15
MLG1005S15N
14.7
15.3
22.0
26.0
41.7
23
28
29
26
17
MLG1005S16N
15.6
16.2
24.1
29.0
50.2
22
26
22
13
MLG1005S18N
17.7
18.6
29.0
36.1
74.4
23
28
26
22
11
MLG1005S20N
19.7
20.8
36.8
50.3
215.3
21
25
21
16
4
MLG1005S22N
21.8
23.3
44.5
65.1
341.5
22
27
21
14
2
MLG1005S24N
23.8
25.5
53.8
86.9
22
26
17
11
3
MLG1005S27N
27.0
29.6
92.4
317.8
20
23
10
3
MLG1005S30N
30.1
33.5
150.1
19
21
6
1
MLG1005S33N
33.5
37.8
314.7
20
23
3
MLG1005S36N
36.7
41.5
21
23
2
MLG1005S39N
40.3
46.9
20
21
MLG1005S43N
44.3
51.6
20
21
MLG1005S47N
50.2
63.2
19
20
MLG1005S51N
53.7
65.6
19
MLG1005S56N
60.9
80.2
19
18
MLG1005S62N
67.5
89.8
18
16
MLG1005S68N
75.8
107.5
17
15
MLG1005S75N
86.5
135.2
17
13
MLG1005S82N
96.9
164.8
16
11
MLG1005S91N
111.0
217.9
15
9
MLG1005SR10
128.9
325.8
14
6
MLG1005SR11
140.8
343.1
15
7
MLG1005SR12
175.2
12
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187.8
13
2
MLG1005SR15
284.7
11
MLG1005SR16
356.9
9
MLG1005SR18
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MLG1005SR20
4
MLG1005SR22
5
MLG1005SR24
1
MLG1005SR27
MLG1005SR30
MLG1005SR33
MLG1005SR36
MLG1005SR39
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参数描述
MLG1005S10NJ 功能描述:固定电感器 0402 10nH 5% RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm
MLG1005S10NJT 功能描述:固定电感器 0402 10nH 5% RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm
MLG1005S10NJT000 功能描述:10nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 350 mOhm Max 0402 (1005 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLG 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:无磁性 电感:10nH 容差:±5% 额定电流:500mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):350 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:2.5GHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.022"(0.55mm) 标准包装:1
MLG1005S10NJTD25 功能描述:10nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 350 mOhm Max 0402 (1005 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLG 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:多层 材料 - 磁芯:无磁性 电感:10nH 容差:±5% 额定电流:500mA 电流 - 饱和值:- 屏蔽:无屏蔽 DC 电阻(DCR):350 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:8 @ 100MHz 频率 - 自谐振:2.5GHz 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:0402(1005 公制) 大小/尺寸:0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm) 高度 - 安装(最大值):0.022"(0.55mm) 标准包装:1
MLG1005S10NST 制造商:TDK 制造商全称:TDK Electronics 功能描述:SMD Inductors(Coils) For High Frequency(Multilayer)