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参数资料
| 型号： | MM121-20T |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 50 A, 200 V, 0.045 ohm, 6 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | HERMETIC SEALED, POWER MODULE-16 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | MM121-20T |
TJ= 25 C
TJ= 125 C
TJ= 25 C
TJ= 125 C
MM121-30
MM121-50
tbd
1
2
Notes
(1)
Pulse test, t
≤ 300 s, duty cycle δ≤ 2%
(2)
Microsemi does not manufacture the igbt die; contact Microsemi for details.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MM3002 | 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| MM3005 | 2500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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