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参数资料
| 型号： | MM5Z5V6B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 5.6 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | MM5Z5V6B |
DB-146
April 2009, Revision A
Page 4
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
Flat Lead SOD-523 Package Outline
Note:
Dimensions are exclusive of Burrs, Mold Flash & Tie Bar extrusions.
Fig.7 TYPICAL LEAKGE CURRENT
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MM5Z4V7B | 4.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MM5Z47VB | 47 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MM5Z15VB | 15 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBD1703AL99Z | 0.05 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD1705AD87Z | 0.05 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MM5Z5V6H | 制造商:ZOWIE 制造商全称:Zowie Technology Corporation 功能描述:Zener Voltage Regulators |
| MM5Z5V6ST1 | 功能描述:稳压二极管 5.6V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MM5Z5V6ST1G | 功能描述:稳压二极管 5.6V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MM5Z5V6T1 | 功能描述:稳压二极管 5.6V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MM5Z5V6T1G | 功能描述:稳压二极管 5.6V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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