参数资料
型号: MMBD1203
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 1/4页
文件大小: 148K
描述: DIODE FAST DUAL 100V SOT-23
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
其它图纸: Diode Circuit
标准包装: 1
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 50nA @ 50V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA
电压 - (Vr)(最大): 100V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 1 对串联
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1611 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: MMBD1203DKR
MMBD1201 / 1202 / 1203 / 1204 / 1205 — Small Signal Diodes
? 2011 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MMBD1201 / 1202 / 1203 / 1204 / 1205 Rev. C1 1
August 2011
MMBD1201 / 1202 / 1203 / 1204 / 1205
Small Signal Diodes
Absolute Maximum Ratings* TA = 25°C
unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle
operations.
Thermal Characteristics TA = 25°C
unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
TSTG
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol Parameter Value Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
MARKING
MMBD1201 24 MMBD1202 25
MMBD1203 26 MMBD1204 27
SOT-23
1
2
3
24
3
2
1
MMBD1205 28
1201
3
1202
1203 12043
3
1
3
2
1
2
2
1205
3
1
2NC
2
1
1NC
Connection Diagram
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参数描述
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