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参数资料
| 型号： | MMBD1501AS62Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | MMBD1501AS62Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD1501L99Z | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MURD310 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MURS310T3 | 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MR874 | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| MDA102A | 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1501A-T | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
| MMBD1501A-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Switching Diode 600mA, 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1501T | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1501-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1502A | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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