型号: | MMBD1501AS62Z |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
文件页数: | 3/3页 |
文件大小: | 93K |
代理商: | MMBD1501AS62Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBD1501L99Z | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
MURD310 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MURS310T3 | 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MR874 | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
MDA102A | 1 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBD1501A-T | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
MMBD1501A-TP | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 Switching Diode 600mA, 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
MMBD1501T | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
MMBD1501-TP | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
MMBD1502A | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 High Voltage General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |