| 型号: | MMBD1505A-TP |
| 厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述: | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数: | 3/4页 |
| 文件大小: | 212K |
| 代理商: | MMBD1505A-TP |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD2837LT3 | 0.15 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBZ27VCL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ18VCL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ33VAL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ12VAL/DG | TVS DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD1505T | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1505-TP | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD1701 | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1701_Q | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| MMBD1701A | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |