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参数资料
| 型号： | MMBD2837LT3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/33页 |
| 文件大小： | 308K |
| 代理商： | MMBD2837LT3 |
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5–117
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Monolithic Dual Switching Diodes
MAXIMUM RATINGS (EACH DIODE)
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Reverse Voltage
VRM
75
Vdc
D.C. Reverse Voltage
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
VR
30
50
Vdc
Peak Forward Current
IFM
450
300
mAdc
Average Rectified Current
IO
150
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR– 5 Board(1)
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
225
1.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,(2) TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
300
2.4
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
– 55 to +150
°C
DEVICE MARKING
MMBD2837LT1 = A5; MMBD2838LT1 = MA6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (I(BR) = 100 Adc)
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
V(BR)
35
75
—
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 30 Vdc)
MMBD2837LT1
(VR = 50 Vdc)
MMBD2838LT1
IR
—
0.1
Adc
Diode Capacitance (VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
CT
—
4.0
pF
Forward Voltage (IF = 10 mAdc)
Forward Voltage (IF = 50 mAdc)
Forward Voltage (IF = 100 mAdc)
VF
—
1.0
1.2
Vdc
Reverse Recovery Time (IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1)
trr
—
4.0
ns
1. FR– 5 = 1.0
0.75 0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMBD2837LT1
MMBD2838LT1
1
2
3
CASE 318 – 08, STYLE 9
SOT– 23 (TO – 236AB)
3
CATHODE
2
ANODE
1
REV 1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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