参数资料
型号: MMBD2837LT3
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 二极管(射频、小信号、开关、功率)
英文描述: 0.15 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封装: CASE 318-08, 3 PIN
文件页数: 12/33页
文件大小: 308K
代理商: MMBD2837LT3
MMBD2837LT1 MMBD2838LT1
5–118
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
Notes: 3. tp trr
+10 V
2.0 k
820
0.1
F
DUT
VR
100
H
0.1
F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; MEASURED
at iR(REC) = 1.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
CURVES APPLICABLE TO EACH CATHODE
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0
I
1.0
0.1
0.001
0.01
10
20
30
40
50
I
1.0
1.2
0.2
0.4
0.6
0.8
Figure 4. Capacitance
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
F
TA = 85°C
TA = –40°C
TA = 25°C
,REVERSE
CURRENT
(
A)
R
m
TA = 25°C
TA = 55°C
TA = 85°C
TA = 150°C
TA = 125°C
1.0
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.9
0.8
0.7
0.6
C
D
,DIODE
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
24
6
8
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