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参数资料
| 型号： | MMBD2835L |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | CASE 318-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | MMBD2835L |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ15VDLT3 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ27VCLT3 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ4617 | 2.4 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5238BS-7 | 8.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5258BW | 36 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD2835LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 35V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD2835LT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes |
| MMBD2835LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 35V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD2835LT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes |
| MMBD2836 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Surface mount switching diode |
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