型号: | MMBD352WT/R7 |
元件分类: | 射频混频器 |
英文描述: | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 88K |
代理商: | MMBD352WT/R7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBD354WT/R7 | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
MMBD353W | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
MMBD4148TW-TP | 0.15 A, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD4448-13 | 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD4448 | 0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBD353 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT HIGH FREQUENCY SCHOTTKY DIODE |
MMBD353LT1 | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
MMBD353LT1G | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
MMBD353LT3 | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
MMBD353LT3G | 功能描述:整流器 7V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |