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参数资料
| 型号： | MMBD4448HTA-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.25 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MMBD4448HTA-13 |
DS30263 Rev. 7 - 2
2 of 3
MMBD4448HT /HTA /HTC /HTS
www.diodes.com
10
100
1000
1
0.1
0
1.6
1.2
0.4
0.8
I
,
INST
ANT
A
NE
O
US
F
O
R
W
ARD
CURRENT
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
F
Fig. 1 Typical Forward Characteristics
T = 125C
A
T = -40C
A
T = 75C
A
T = 25C
A
T = 0C
A
0.1
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 2 Typical Reverse Characteristics
I
,
INST
ANT
A
NE
O
US
REVERSE
CURRENT
(nA)
R
T = -40C
A
T = 25C
A
T = 75C
A
T = 125C
A
T= 0C
A
0
0.5
1
2.5
2
1.5
3
010
20
40
30
50
C
,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig.3 Typical Capacitance vs. Reverse Voltage
f= 1MHz
0
50
100
150
200
250
0
100
200
P,
P
O
WER
D
ISSIP
A
T
IO
N
(mW)
d
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 4 Power Derating Curve, Total Package
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4448HTS-13 | 0.25 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HTW | 0.25 A, 80 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448HT | 0.25 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD4448 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD7000-V-GS08 | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBD4448HTA-7-F | 功能描述:整流器 80V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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| MMBD4448HTC-7 | 功能描述:整流器 150MW 80V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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