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参数资料
| 型号： | MMBD4448TWT/R13 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.15 A, 100 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | MMBD4448TWT/R13 |
PAGE . 2
REV.0.0-MAR.26.2009
FIG. 1-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
FIG. 2-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG. 3 POWER DERATING CURVE
0.2
0.1
1
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1.0
11
..
24
0
10
1.0
0.1
0.01
0.001
20
40
60
80
100
0
200
300
400
500
100
50
100
150
200
F
O
RW
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D
C
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RE
NT
,m
A
FORWARD VOLTAGE, Volts
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E
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REVERSE VOLTAGE, Volts
T =125 C
J
O
T=75 C
J
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J
O
P
POWER
DISSIP
A
TION
(mW)
D,
AMBIENT TEMPERATURE( C)
O
MMBD4448TW
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD4448 | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6050WS | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBF0202PLT1G | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| MMBF4119L99Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MMBF4118L99Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD4448V | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448V_08 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| MMBD4448V_13 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:150mW Switching Diodes |
| MMBD4448V-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD4448VPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:SWITCHING DIODE ARRAY |
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