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参数资料
| 型号： | MMBD5004A-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 95K |
| 描述： | DIODE ARRAY 350V 300MA SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.275V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 360V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 300mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 350V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMBD5004A-7DIDKR |
MMBD5004A/C/S
Document number: DS35585 Rev. 2 - 2
2 of 4
www.diodes.com
April 2012
? Diodes Incorporated
MMBD5004A/C/S
NEW PRODUCT
Maximum Ratings
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Value Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
400 V
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRWM
VR
350 V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
247 V
Forward Continuous Current (Note 5)
IF
300 mA
Peak Repetitive Forward Current (Note 5)
IFRM
625 mA
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 1.0μs
@ t = 1.0ms
IFSM
5
3
A
Thermal Characteristics
Characteristic Symbol Value Unit
Power Dissipation (Note 5) (See figure 1)
PD
350 mW
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 5)
RθJA
357
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
TJ , TSTG
-55 to +150
°C
Electrical Characteristics
@TA
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Reverse Breakdown Voltage (Note 6)
V(BR)R
400
?
?
V
IR
= 150
μA
Forward Voltage
VF
?
?
?
?
0.9
1.05
1.275
V
IF
= 20mA
IF
= 100mA
IF
= 200mA
Reverse Current (Note 6)
IR
?
?
?
150
5
nA
μA
VR
= 240V
VR
= 360V
Total Capacitance
CT
?
0.65 2.0 pF VR
= 0V, f = 1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
?
?
50 ns IF
= I
R
= 30mA,
Irr = 3.0mA, RL
= 100
Ω
Notes: 5. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at http://www.diodes.com.
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
400
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Fig. 1 Power Derating Curve, Total Package
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
200
100
300
0
500
0
30 60 90 120 150
I , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT ( A)
F
m
100
1
10
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1,000
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics, Per Element
1.2
T = 150 CJ
°
T = 1 CJ
25°
T = CJ
85°
T = 25CJ
°
T = 5CJ
-5
°
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD5004BRM-7 | DIODE ARRAY 350V 225MA SOT26 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD5004BRM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE ARRAY |
| MMBD5004BRM-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SM SIG DIODE SWTCH 350MW 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD5004C-7 | 功能描述:MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBD5004S | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE |
| MMBD5004S-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 350MW 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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