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参数资料
| 型号： | MMBD5004BRM-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 104K |
| 描述： | DIODE ARRAY 350V 225MA SOT26 |
| 产品变化通告： | Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 360V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 225mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 350V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | SOT-26 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1599 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | MMBD5004BRM-7DKR |
MMBD5004BRM
Document number: DS30714 Rev. 4 - 2
2 of 5
www.diodes.com
December 2009
? Diodes Incorporated
MMBD5004BRM
NEW PRODUCT
400
T , AMBIENT TEMPERATURE, (°C)A
Fig. 1 Power Derating Curve, Total Package
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N
(mW)
D
200
100
300
00
500
200
40
80
120
160
Note 1
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1
10
100
1,000
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics, Per Element
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(mA)
F
T = -55CA
°
T = 25CA
°
T = 85CA
°
T = 125CA
°
T = 150CA
°
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
0 50 100 150 200 250 300 350 400
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics, Per Element
I, INS
T
AN
T
ANE
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
EN
T
(A)
R
μ
T = 25CA
°
T = -55CA
°
T = 85CA
°
T = 125 CA
°
T = 150 CA
°
0
04 8121620
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Fig. Total Capacitance vs. Reverse Voltage, Per Element4
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
f = 1.0MHz
Ordering Information
(Note 5)
Part Number
Case
Packaging
MMBD5004BRM-7
SOT-26
3000/Tape & Reel
Notes: 5. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Marking Information
Date Code Key
Year
2009
2010
2011
2012
2013
2014
2015
Code
W X Y Z A B C
Month
Jan
Feb
Mar
Apr
May
Jun
Jul
Aug
Sep
Oct
Nov
Dec
Code
1 2 3 4 5 6 7 8 9 O N D
KJB = Product Type Marking Code
YM = Date Code Marking
Y = Year (ex: W = 2009)
M = Month (ex: 9 = September)
KJB
YM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD5004S-7 | DIODE ARRAY 350V 300MA SOT23-3 |
| MMBD6100LT1G | DIODE SWITCH DUAL 70V SOT23 |
| MMBD7000-7 | DIODE DUAL SW 75V 350MW SOT23-3 |
| MMBD7000HC-7-F | DIODE ARRAY 100V 300MA SOT23 |
| MMBD7000LT1G | DIODE SWITCH DUAL 100V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD5004C-7 | 功能描述:MOSFET HiVolt Switching Dio 100V SOT23 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMBD5004S | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:HIGH VOLTAGE DUAL SWITCHING DIODE |
| MMBD5004S-7 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 350MW 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD5148 | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Surface Mount Switching Diode |
| MMBD5148A | 制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:Surface Mount Switching Diode |
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