型号: | MMBD6050/E9 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
英文描述: | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 109K |
代理商: | MMBD6050/E9 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBD7000WT/R7 | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBD7000 | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
MMBD914 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MMBV1321T/R7 | SILICON, PIN DIODE |
MMBV3401LT3 | 35 V, SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBD6050-G3-08 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD6050-G3-08 - Bulk 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD6050-G3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
MMBD6050-G3-18 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD6050-G3-18 - Bulk 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD6050-G3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
MMBD6050-HE3-08 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD6050-HE3-08 - Bulk 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD6050-HE3-08 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
MMBD6050-HE3-18 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD6050-HE3-18 - Bulk 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MMBD6050-HE3-18 - Cut TR (SOS) 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23 |
MMBD6050LT1 | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |