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参数资料
| 型号： | MMBD6050/E9 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | MMBD6050/E9 |
MMBD6050
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88219
www.vishay.com
14-May-02
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD7000WT/R7 | 0.2 A, 100 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD7000 | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
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| MMBV1321T/R7 | SILICON, PIN DIODE |
| MMBV3401LT3 | 35 V, SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBD6050LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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