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参数资料
| 型号： | MMBD6050T/R7 |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 184K |
| 代理商： | MMBD6050T/R7 |
ELECTRICAL CHARACTERISTIC CURVES
Fig. 3. Forward Current vs. Forward Voltage
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
0
20
40
60
80
Reverse Voltage, VR (V)
Reverse
Leakage
Current,
I
R
(uA)
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
TJ = 150 °C
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Forward Voltage, VF (V)
Forward
Current,
I
F(mA)
TJ = 25 °C
TJ = 75 °C
TJ = -25 °C
T
J = 150 °C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Reverse Voltage, VR (V)
Capacitance
(pF)
Fig. 2. Reverse Current vs. Reverse Voltage
Fig. 4. Capacitance vs. Reverse Voltage
REV.0.1-FEB.10.2009
PAGE .
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD6050 | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD6100T/R7 | 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD7000 | 0.15 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD701T/R7 | 0.25 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBF0202PLT3 | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBD6050-V | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode, Small Signal; 200 mA; 70 V (Min.) @ 25 degC(Reverse); 1.1 V (Max.); SOT-2 |
| MMBD6050-V_12 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Switching Diode |
| MMBD6050-V-G-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23-E3-G |
| MMBD6050-V-G-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:SWITCHING DIODE GENPURP SOT23-E3-G |
| MMBD6050-V-GS08 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70 Volt 200mA 4ns 500mA IFSM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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