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参数资料
| 型号： | MMBD6050WS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SOD-323, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | MMBD6050WS |
PAGE . 2
REV.0-MAY.11.2005
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MMBF0202PLT1G | 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
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| MMBF4118L99Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| MMBF4117S62Z | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBD6100 | 制造商:BILIN 制造商全称:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Surface mount switching diode |
| MMBD6100_09 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| MMBD6100LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| MMBD6100LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode |
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