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参数资料
| 型号： | MMBD6050WS |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | PLASTIC, SOD-323, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | MMBD6050WS |
ELECTRICAL CHARACTERISTIC CURVES
Fig. 3. Forward Current vs. Forward Voltage
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
0
20
40
60
80
Reverse Voltage, VR (V)
Reverse
Leakage
Current,
I
R
(uA)
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
TJ = 150 °C
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Forward Voltage, VF (V)
Forward
Current,
I
F(mA)
TJ = 25 °C
TJ = 75 °C
TJ = -25 °C
T
J = 150 °C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Reverse Voltage, VR (V)
Capacitance
(pF)
Fig. 2. Reverse Current vs. Reverse Voltage
Fig. 4. Capacitance vs. Reverse Voltage
STAD-JAN.13.2005
PAGE . 3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBD6100LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode |
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